【摘 要】
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利用化学池沉积法在化学镀镍的n-Si基底上沉积MoS2薄膜.结果显示,MoS2膜的最佳合成条件为：钼酸铵浓度为10-4 mlo/L,退火温度为850℃.此时,得到具有六角晶形的Ⅱ型膜,MoS2膜晶
【机 构】
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河南科技大学物理与工程学院,吉林大学超硬材料国家重点实验室
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利用化学池沉积法在化学镀镍的n-Si基底上沉积MoS2薄膜.结果显示,MoS2膜的最佳合成条件为：钼酸铵浓度为10-4 mlo/L,退火温度为850℃.此时,得到具有六角晶形的Ⅱ型膜,MoS2膜晶体尺寸约200nm.没有Ni诱导层的MoS2膜结晶很差,无确定取向.相同条件下,以Ni为诱导层的样品为具有沿[002]取向的Ⅱ型MoS2膜,并且具有较好的六角晶形,说明Ni诱导层对于得到Ⅱ型MoS2膜的重要性.Ni诱导层的影响归于液态S-Ni相的形成并提供的沿[002]方向的生长动力.
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