不卷曲的硅片

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不卷曲的硅片日本专利。这种硅片含有氧、锂与一种p型掺杂剂(如硼等)。锂与掺杂剂补偿载流子密度,并产生≥1Ω·cm的电阻率。硅片中的氧与掺杂剂是在直拉生长过程中加入的,锂应用离子注入或将硅片浸入Sn-Li热溶液槽中扩散进去的。C.A,.1994.121... Not curled silicon Japanese patent. This silicon wafer contains oxygen, lithium and a p-type dopant (such as boron, etc.). Lithium and dopants compensate for carrier density and give a resistivity of ≧ 1 Ω · cm. Oxygen and dopants in the silicon wafer are added during the Czochralski growth process, and lithium is ion-implanted or the silicon wafer is immersed in a Sn-Li hot solution bath. C. A ,. 1994.121 ...
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