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采用MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的PZT薄膜，典型Pr、Ps、Ec值分别为27 μC／cm2、44 μC／cm2、10.9 kV／mm，进一步分析表明，制备工艺对薄膜的析晶状态、晶粒尺寸和铁电性能有重大影响，析晶充分和大晶粒尺寸有利于获得较大的Pr值。
用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能
【摘 要】
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采用MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的PZT薄膜，典型Pr、Ps、Ec值分别为27 μC／cm2、44 μC／cm2、10.9 kV／mm，进一步分析表明，制备工艺对薄膜的析晶状态、晶粒尺寸和
【机 构】
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复旦大学电子工程系微电子所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年2期
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