原位钼修饰TiO2/BiVO4异质结薄膜的制备及其光电化学性能

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【摘要】

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针对TiO_2可见光响应能力不足、BiVO_4光生电子空穴分离能力弱的问题,制备了一种基于钼原位掺杂BiVO_4修饰TiO_2纳米管的高性能Mo-BiVO_4/TiO_2异质结光阳极.实验结果表明,钼

【作者】

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牛学恒白晶李金花周保学

【机构】

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上海交通大学环境科学与工程学院

【出处】

：

复旦学报：自然科学版

【发表日期】

：

2018年2期

【关键词】

：

TiO2/BiVO4 异质结原位修饰钼 TiO2/BiVO4 heterojunction in situ modification Mo

【基金项目】

：

国家自然科学基金（21576162,51578332,21776177）

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针对TiO_2可见光响应能力不足、BiVO_4光生电子空穴分离能力弱的问题,制备了一种基于钼原位掺杂BiVO_4修饰TiO_2纳米管的高性能Mo-BiVO_4/TiO_2异质结光阳极.实验结果表明,钼掺杂后异质结电极材料的吸收带边约510nm,光电流密度在1.23Vvs.RHE偏压下达到1.48mA/cm2,与未掺杂钼的TiO_2/BiVO_4光电极相比,Mo-BiVO_4/TiO_2光阳极的光电转化效率提高了近50%,光电流密度提高了近2.5倍,光转化效率在0.95Vvs.RHE偏压下提高了2倍,且电极

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