氮化物结合碳化硅窑具材料抗氧化性能研究

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【摘要】

：

在不同氧化温度下(1 150～1 450 ℃)对氮化物(Si2N2O)结合碳化硅(SiC)与氮化硅(Si3N4)结合碳化硅(SiC)两种氮化物结合SiC窑具材料的抗氧化性进行了对比研究.结果表明:在显气孔

【作者】

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刘春侠赵俊国张治平王文武

【机构】

：

洛阳耐火材料研究院

【出处】

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陶瓷

【发表日期】

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2005年5期

【关键词】

：

窑具材料碳化硅氮化物性能研究抗氧化性 SI3N4 SiC 对比研究氧化温度显气孔率氮化硅

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在不同氧化温度下(1 150～1 450 ℃)对氮化物(Si2N2O)结合碳化硅(SiC)与氮化硅(Si3N4)结合碳化硅(SiC)两种氮化物结合SiC窑具材料的抗氧化性进行了对比研究.结果表明:在显气孔率与氧化面积相近的情况下,Si2N2O结合SiC材料低温下(＜1 250 ℃)具有较好的抗氧化性,而Si3N4结合SiC材料高温下(≥1 250 ℃)具有较好的抗氧化性.

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