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本文提出了一种适用于GaAsMESFET挖槽工艺的腐蚀程序,它包括有H3PO4-H2O2-H2O体系的凹槽腐蚀;NH4OH-H2O体系的表面处理;以及随后的适当水处理。实验结果证实了该程序既可得到较好的凹槽腐蚀,又可得到较好的势垒制备表面,且工艺兼容性好。是一种较好的腐蚀程序。文章对该程序做了简单的理论分析。