荫罩式等离子体显示板寻址放电延迟时间的研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:txzhang50
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高氙浓度是提高等离体显示器亮度和发光效率的有效手段,但必须关注高氙比例对寻址放电延迟的影响。本文采用7英寸小屏实验平台研究氙比例增加对寻址放电延迟的影响,分析了氙比例增加,寻址电压和维持电压变化条件下,寻址放电的形成性延迟和统计性延迟的变化规律。研究结果表明寻址形成性延迟随寻址电压和维持电压的增加而减小,随氙比例的增加而增加,寻址形成性延迟时间与电子在一个平均自由程内获得的电场能量成反比。而寻址统计性延迟随寻址电压、维持电压的变化基本保持不变,随氙比例的变化规律性不明显,说明氙比例不是寻址统计性延迟的主要
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