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利用分子束外延方法生长的InP/InGaAs/InP双异质结材料，通过台面成型、有效钝化和欧姆接触电极制备等工艺，制作了512×1元的背照射InGaAs光敏芯片，光敏芯片响应波段为0.95~1.7 μm，平均峰值响应率约为0.97 A/W。512×1元光敏芯片与512×1元电容反馈互导放大器(CTIA)读出电路通过基板间接倒焊互连后形成512×1元近红外InGaAs模块。两个512元模块经过有效元交叠的方式拼接形成1024×1元近红外InGaAs线列焦平面组件，并被封装于带热电致冷器的金属管壳中，室温下组件的响应非均匀性为5.8%，盲元率为0.6%，平均峰值探测率为6.10×1011 (cm·Hz1/2)/W。采用热电致冷器可以稳定组件工作温度，在5 ℃时组件功耗为3.10 W。