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通过局域注氧工艺，在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI三种结构的器件，通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性，模拟和测量的结果证明DSOI器件与SOI器件相比，具有衬底热阻较低的优点，因而DSOI器件在保持SOI器件电学特性优势的同时消除了SOI器件严重的自热效应，DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近，并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势。