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对硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术的可靠性进行了综述,主要分为三个方面:热应力,工艺和压阻效应。TSV热应力可靠性问题体现在不同材料之间的热膨胀系数差异较大,过大的热应力可能导致界面分层和裂纹;TSV工艺可靠性体现在侧壁的连续性以及填充铜的质量;有源区中载流子的迁移率会受到TSV热应力的影响。在TSV周围规定一个保持区域(Keep-Out Zone,KOZ)。KOZ设置为载流子迁移率不超过5%的区域。当载流子迁移率超过5%,可能会导致电路的时序被破坏,使集成电路失效。