面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响

来源 :河北师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：presk

【摘要】

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实验研究了直流偏场（Hb）下,面内场（Hip）对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线（VBL）稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[H

【作者】

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李秀玲王丽娜郭革新李静

【机构】

：

河北师范大学物理科学与信息工程学院

【出处】

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河北师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

垂直布洛赫线直流偏场面内场 vertical-Bloch-line（VBL） static bias field in-plane field

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实验研究了直流偏场（Hb）下,面内场（Hip）对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线（VBL）稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hip（1）,Hip（2）],其中Hip（1）是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hip（2）是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip＊为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下（Hip（1））IID＜（Hip（1））ID＜（Hip（1））OHB;（Hip（2））IID=（Hip（2））ID=（Hip（2））OHB.在不

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