【摘 要】
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以ZrSi2、B4C和炭黑为原料,采取硼-碳热还原法,分别在1000、1200及1400℃温度下反应,合成纳米SiC-ZrB2复合陶瓷粉体。采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）及X射线衍射（XRD）对复合粉体的
【机 构】
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大连理工大学工业装备结构分析国家重点实验室
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以ZrSi2、B4C和炭黑为原料,采取硼-碳热还原法,分别在1000、1200及1400℃温度下反应,合成纳米SiC-ZrB2复合陶瓷粉体。采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）及X射线衍射（XRD）对复合粉体的显微形貌、物相组成及晶粒尺寸进行表征;利用热力学计算分析合成过程的反应机理。结果表明：当温度为1000℃时,硼-碳热还原反应并不彻底,粉体中仍存在ZrSi2未参与反应;当温度升高到1200℃时,反应可完全进行,合成的纳米SiC-ZrB2复合陶瓷粉体颗粒分布均匀,SiC粒子尺寸约为40 nm,Zr
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