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基于热力学平衡理论，对在电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积系统中的GaN薄膜生长给出了一个化学平衡模型．计算表明，GaN生长的驱动力△p是以下生长条件的函数：Ⅲ族输入分压，输入Ⅴ／Ⅲ比，生长温度．计算了六方和立方GaN的生长相图，计算结果和我们的实验结果显示出一定的一致性．通过分析，解释了高温和高Ⅴ／Ⅲ比生长条件适合六方GaN的原因．上述模型可以延伸到用于GaN单晶薄膜生长的类似系统中。