【摘 要】
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基于预放大-锁存理论,提出了一种带1级预放大器的高速CMOS锁存比较器电路拓扑结构;阐述了其传输延迟时间、回馈噪声和输入失调电压的改进方法.采用典型的0.35μm/3.3 V硅CMOS
【机 构】
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电子科技大学,上海力通微电子有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金,国家重点实验室基金,国家重点实验室基金
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基于预放大-锁存理论,提出了一种带1级预放大器的高速CMOS锁存比较器电路拓扑结构;阐述了其传输延迟时间、回馈噪声和输入失调电压的改进方法.采用典型的0.35μm/3.3 V硅CMOS工艺模型,通过Cadence进行模拟验证,得到其传输延迟时间380 ps,失调电压6.8 mV,回馈噪声对输入信号产生的毛刺峰峰值500μV,功耗612 μW.该电路的失调电压和回馈噪声与带两级(或两级以上)CMOS预放大锁存比较器的指标相近,且明显优于锁存比较器.其功耗和传输延迟时间介于两种比较器之间.该电路可用于高速A/
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