生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：maxever888

【摘要】

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研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.

【作者】

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【机构】

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浙江大学硅材料国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年z1期

【关键词】

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【基金项目】

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国家自然科学重点基金(批准号:50532060),国家自然科学基金(批准号:60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目

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