TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析

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TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2/Si在快速热退火后界面反应和产物的结果。 Auger analysis of TiN is very difficult. This is mainly due to the fact that the main N-Auger transition KL_ (23) L_ (23) (379eV) overlaps with Ti L_3M_ (23) M_ (23) (387eV). In this paper, the depth distribution of N in TiN_X / TiSi_X double-layer structure is precisely analyzed by narrow-energy window selection and spectral overlap reduction method. At the same time, the relationship between Ti / Si, Ti / SoO_2 / Si interface reaction after rapid thermal annealing And the result of the product.
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