【摘 要】
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本文介绍了采用NH_3退火热氮化SiO_2薄膜为绝缘栅兼做敏感膜制作H~+-ISFET,其在pH值为2～13的范围内具有较好的线性响应,灵敏度为41.6～47.8mV/pH,典型值为45.7mV/pH.并运用双表
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系,渭南师范专科学校化学系
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本文介绍了采用NH_3退火热氮化SiO_2薄膜为绝缘栅兼做敏感膜制作H~+-ISFET,其在pH值为2～13的范围内具有较好的线性响应,灵敏度为41.6～47.8mV/pH,典型值为45.7mV/pH.并运用双表面基模型分析了H~+-ISFET的工作机理,较为合理地解释了以SiO_2、Si_3N_4或氮化SiO_2为介质膜的H~+-ISFET的响应特性.
In this paper, the H ~ + -ISFET made of NH_3-annealed thermally-nitrided SiO_2 thin film as an insulator grid and as a sensitive film was prepared. The H ~ + -ISFET has a good linear response at a pH range of 2 ~ 13 with a sensitivity of 41.6 ~ 47.8mV / pH, with a typical value of 45.7 mV / pH. The working mechanism of H ~ + -ISFET was analyzed by using a double-surface-based model and a reasonable explanation for the H ~ + -ISFET with SiO_2, Si_3N_4 or SiO_2 as the dielectric film Response characteristics.
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