【摘 要】
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使用感应耦合等离子体化学气相沉积（Inductively coupled plasma chemical vapor deposition,ICPCVD）方法在GaN上沉积SiOx薄膜,生长参数中采用不同RF功率,研究RF功率对薄膜物理
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院研究生院
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使用感应耦合等离子体化学气相沉积（Inductively coupled plasma chemical vapor deposition,ICPCVD）方法在GaN上沉积SiOx薄膜,生长参数中采用不同RF功率,研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响.结果发现,随着RF功率增大,薄膜应力增大,表面粗糙度减小,薄膜致密度增大.选择最优的RF功率参数,制作了SiOx/nGaN金属-绝缘体-半导体（metal-insulator-semiconductor,MIS）器件,结果得到薄膜漏电流密度在外加偏压为
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