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用微波等离子体化学气相淀积方法，以Ｃ６０薄膜作为在硅衬底上的过渡层，无衬底负偏压。采用通常淀积金刚石薄膜的生长条件，在Ｃ６０薄膜上生长出多晶金刚石薄膜。
C60薄膜硅衬底过渡层对金刚石薄膜的生成
【摘 要】
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用微波等离子体化学气相淀积方法，以Ｃ６０薄膜作为在硅衬底上的过渡层，无衬底负偏压。采用通常淀积金刚石薄膜的生长条件，在Ｃ６０薄膜上生长出多晶金刚石薄膜。
【机 构】
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河南省基础及应用科学研究所
【出 处】
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郑州大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1997年3期
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