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研究有受主态扩散层的Schottky势垒型半导体陶瓷的晶界势垒.通过建立简化模型,引入参数K(扩散层内与耗尽层内的正空间电荷浓度之比),讨论晶界势垒随受主态扩散浓度和扩散深度的变化规律,得出有助于理解扩散工艺对器件性能影响的结论.
半导体陶瓷Schottky势垒型器件晶界势垒问题探讨
【摘 要】
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研究有受主态扩散层的Schottky势垒型半导体陶瓷的晶界势垒.通过建立简化模型,引入参数K(扩散层内与耗尽层内的正空间电荷浓度之比),讨论晶界势垒随受主态扩散浓度和扩散深度
【机 构】
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广东教育学院物理系
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2004年3期
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