共溅射法制备ITO:Zr薄膜及其特性研究

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采用ITO靶和Zr靶共溅射在玻璃衬底上沉积了ITO:Zr薄膜,研究了衬底温度、氧流量对ITO:Zr薄膜性能的影响。表征和对比了ITO:Zr薄膜晶体结构和表面粗糙度的变化。ITO:Zr薄膜在低温生长时就可以得到良好的光电性能,衬底温度的提高显著改善了薄膜的光电性能;一定范围的氧流量也可以改善薄膜的性能,但过量的氧却使得ITO:Zr薄膜的光电性能变差。透射谱表明各参数的变化引起了明显的“Burstin-Moss”效应。当优化溅射条件为工作气压0.5Pa、氧流量0.3sccm、直流溅射功率45w(ITO靶)和射
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