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ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述.
半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展
【摘 要】
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ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.对ZnO晶体的生长方法
【机 构】
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北京工业大学材料科学与工程学院
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2003年2期
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