【摘 要】
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<正> 本专利是碳化硅的制法,特别是提供β晶体生成率多的碳化硅的制法。碳化硅一般是在电阻式电气炉中,用硅石、焦碳、木碳等混合原料加热反应而制得的。但用这种方法,所得到
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<正> 本专利是碳化硅的制法,特别是提供β晶体生成率多的碳化硅的制法。碳化硅一般是在电阻式电气炉中,用硅石、焦碳、木碳等混合原料加热反应而制得的。但用这种方法,所得到的碳化硅结晶,在炉中心部位所形成的结晶块,几乎都是α晶体,β晶体在其外周只不过是形成层状的微晶,因此,这种β晶体的生成量与α晶体比是极少的,
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