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提出一种应变Si／SiGe UMOSFET结构，并与Si—UMOSFET器件的电流-电压特性进行比较；对SiGe区域在UMOSFET器件中的不同厚度值进行静态电学仿真。应变Si／SiGe异质结能够有效地提高沟道区载流子的迁移率，增大IDS，降低Vth及器件的Ron；且应变异质结与载流子有效传输沟道距离的大小，对器件的Vth、Isat、V（BR）DSS及电流-电压特性都有较大的影响。因此在满足击穿电压要求的基础上，应变Si／SiGe沟道异质结的UMOSFET相对Si—UMOSFET在I—V特性和Ron方面有