【摘 要】
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采用射频磁控溅射法,在不同的衬底温度下制备了钽（Ta）掺杂的氧化锌（ZnO）薄膜,采用X射线能谱（EDS）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、紫外-可见分光光度计和光致发光（PL）光谱研究了衬底温
【机 构】
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天津理工大学电气电子工程学院,天津市薄膜电子与通信器件重点实验室
【基金项目】
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国家自然基金项目（61504096）, 天津市自然基金项目（16JCYBJC16300）, 天津市科技特派员项目（16JCTPJC50800）, 大学生创新创业训练计划项目（201610060029）
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采用射频磁控溅射法,在不同的衬底温度下制备了钽（Ta）掺杂的氧化锌（ZnO）薄膜,采用X射线能谱（EDS）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、紫外-可见分光光度计和光致发光（PL）光谱研究了衬底温度对制备的Ta掺杂ZnO薄膜的组分、微观结构、形貌和光学特性的影响。EDS的检测结果表明,Ta元素成功掺入到了ZnO薄膜;XRD图谱表明,掺入的Ta杂质是替代式杂质,没有破坏ZnO的六方晶格结构,随着衬底温度的升高,（002）衍射峰的强度先增大后降低,在400℃时达到最大;SEM测试表明当衬底温度较高时（
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