【摘 要】
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本文用剥层椭偏光法对As离子注入硅的热退火过程作了较详细的研究.As 离子注入剂量为 5 ×10~(14)cm~(-2),能量为100keV.在300-800℃之间各种不同温度下退火,得到了在这几种
【机 构】
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西安交通大学,西安交通大学,西安交通大学
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本文用剥层椭偏光法对As离子注入硅的热退火过程作了较详细的研究.As 离子注入剂量为 5 ×10~(14)cm~(-2),能量为100keV.在300-800℃之间各种不同温度下退火,得到了在这几种温度下固相外延平均速率及复折射率分布的变化.我们发现在各种温度下非晶层的消光系数都变小,尾部的折射率变大.
In this paper, the thermal annealing process of As ion-implanted Si is studied in detail by the pellicle-ellipsometry method.The As ion implantation dose is 5 × 10 ~ (14) cm ~ (-2) and the energy is 100keV. ℃ at various temperatures between the annealing, obtained at these temperatures the average rate of solid phase epitaxy and birefringence changes in the distribution.We found that at various temperatures, the amorphous layer extinction coefficient decreases, the tail of the The refractive index becomes larger.
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