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为一只 strained-Si metal-oxide-semiconductor 地效果晶体管(MOSFET ) 的次于最低限度的电流的一个分析模型被解决开发二维(2D ) 泊松方程和常规飘移散开理论。模型确认用 2D 设备模拟器 ISE 被执行。好同意在模型计算和模仿的结果之间被获得。由分析模型， strained-Si 层紧张，做的集中，来源 / 排水管连接深度和底层电压上的电流的依赖被学习。这个次于最低限度的当前的模型为 strained-Si MOSFET 设计提供珍贵信息。