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针对TEM样品制备过程中离子束对样品的损伤所产生的“非晶化”影响进行分析和研究。在总结已有成果的基础上，得到一些新的突破：通过可信、简便的制样方法，可以直接观察到“非晶层”；可以量测聚焦离子束制备的可供TEM分析的IC硅衬底样品的极限厚度。通过一系列自主设计的实验，得到如下结果：离子束的能量对“非晶层”厚度的影像非常大；“非晶层”的厚度与切割时离子束的加速电压有关，与离子束电流及入射角度等基本无关。