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化学机械抛光（CMP）是集成电路制造的一个关键工艺步骤。随着晶圆尺寸增加至300mm，对CMP全局平坦化效果的要求越来越高。目前人们对CMP机理的认识多集中在晶圆表面材料的去除机理，而对全局平坦化机理的研究很少。本文在CMP装备研发和在线测量系统研制的基础上，以流体作用为切入点，对300mm晶圆CMP过程抛光接触面的流体润滑行为和晶圆状态进行系统的试验研究，为工业CMP过程晶圆平坦化机理研究奠定基础。主要研究工作如下。