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采用反应磁控溅射技术制备了CrNx薄膜，并研究了氮气分压对CrNx薄膜的沉积速率、结构和摩擦系数的影响。研究发现：采用反应磁控溅射技术能有效地抑制靶中毒现象，薄膜的沉积速率变化仅仅是由于氩和氮对靶的溅射产率不同造成的。通过调节不同的氮分压，可将CrNx薄膜的结构在很大的范围内调控，从cr到Cr2N，到无定形，一直到CrN多种结晶形态的变化。且制备出的CrNx叱薄膜晶粒细小致密，晶粒和粒径分布都很均匀，晶粒在几十纳米左右。CrN薄膜的摩擦系数在0．70左右，无定形态CrNx和Cr2N的摩擦系数相对比较小，在