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在10 Pa的氩气环境下采用了脉冲激光烧蚀技术（PLA）,通过引入散射电场沉积制备了纳米Si晶粒薄膜.X线衍射谱（XRD）和Raman谱测量均证实了在薄膜中已经形成了纳米Si晶粒;利用扫描电子显微镜（SEM）对所制备的薄膜进行了形貌表征.结果表明,纳米Si晶粒的分布以及其平均尺寸均相对于轴向呈对称分布,加入散射电场后纳米Si晶粒的分布范围增大,其平均尺寸最大值所对应与靶的轴向夹角变大.利用MATLAB对烧蚀颗粒在散射电场的运动过程进行数值模拟,得到与实验结果一致的规律.