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通过增加一次高压注入,对0.8μm SOI CMOS工艺平台进行智能电压扩展.在SIMOX材料上设计并实现了兼容该工艺的横向高压器件,实现了低压CMOS与高压LDMOS的单片集成.在硅膜厚度为205nm、埋氧层厚度为375nm的SIMOX材料上,研制出阈值电压、击穿电压分别为1.3V、38V的高压LDMOS.此高低压兼容SOI技术可将高低压器件单片集成,节约了芯片成本,提高了可靠性.