【摘 要】
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对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/V
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十八研究所,
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对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/Vt)和跨导的退化(Δgm/gm)分别为0.23%和2.98%。以器件最大跨导gm退化10%时所对应的时间作为器件寿命,依据幸运电子模型,0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寿命可达16.82年。
The reliability of 0.5 μm partially depleted SOI NMOSFET hot carriers was studied. The drift (ΔVt / Vt) and the transconductance of the front gate threshold voltage of a partially depleted SOI H-type gate NMOSFET with 4 / 0.5 aspect ratio after 1 000s power-up with Vds = 5V and Vgs = 2.1V The degradation (Δgm / gm) was 0.23% and 2.98%, respectively. According to the lucky electron model, the SOI NMOSFET with 0.5μm partial depletion has a life span of 16.82 years at a time corresponding to 10% degradation of the maximum transconductance gm of the device.
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