Numerical simulation of UV LEDs with GaN and BGaN single quantum well

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：flapme

【摘要】

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The objective of this work is to simulate a single quantum well ultraviolet light emitting diode(LED) based on AlGaN/GaN/AlGaN and AlGaN/BGaN/AlGaN, by using TC

【作者】

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Asma Belaid Abdelkader Hamdoun

【机构】

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DepartmentofElectricalandElectronicEngineering

【出处】

：

半导体学报:英文版

【发表日期】

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2019年3期

【关键词】

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GALLIUM nitride(GaN) aluminum GALLIUM nitride(AlGaN) boron GALLIUM nitride(BGaN)

【基金项目】

：

supported by the University of Abou-Bekr-Belkaid, Materials and Renewable Energy Research Unit, Tlemcen, Algeria.

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The objective of this work is to simulate a single quantum well ultraviolet light emitting diode(LED) based on AlGaN/GaN/AlGaN and AlGaN/BGaN/AlGaN, by using TCAD Silvaco simulator. The first structure has a GaN quantum well taken between two layers, of n

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