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主要通过单步退火、二步退火的方法,借助于红外光谱仪,研究了太阳电池用直拉硅单晶中碳对氧沉淀的作用,发现碳在单步退火过程中不参与氧沉淀;经过预处理的太阳电池用硅单晶尾部(高碳区)样片在950℃和1050℃第二步退火时碳参与了氧沉淀的长大.二步退火过程中尾部(高碳区)样片产生了氧沉淀较头部(低碳区)多(除了850℃以外),由此可以推断原生碳含量越高,就越能促进氧沉淀.