脑EIT中边界电压随颅内电阻率扰动变化情况的仿真研究

来源 :中国生物医学工程学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jgkffdkjkdsf
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由于脑部高电阻率的颅骨的存在,电阻抗断层成像(EIT)测量时,由颅内电阻率分布的改变导致边界电压的变化量与不含颅骨的目标不同。参照人脑部的解剖图谱,制作了一个由7 300多个电阻构成的脑部电阻率分布仿真模型。基于该模型的仿真结果显示:颅骨和脑脊液的存在使边界电压动态范围由17倍增至28倍。当目标中心占成像区域空间分辨率在0.09、电阻率分辨率在0.25时,归一化的边界电压平均变化量和最大变化量分别比均匀模型小11.4倍和8.3倍。根据这些结果,可以认为脑EIT硬件系统需至少能够识别出相对满量程的0.01%
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