用正电子湮没技术研究深低温下Al-Li-Cu-Mg-Zr合金中的缺陷和电子密度

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测量了欠时效和峰值时效的Al-Li-Mg-Zr合金从深低温到室温升温时程的正电子湮没寿命谱,对e^+寿命谱特征参数的分析表明,两种样品中的缺陷在升温过程中的运动规律是相似的。但峰值时样样品比欠时效样品回复缺陷的量更多;缺陷的平均开空间更大。
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