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CMOS器件结构依靠其较低的功耗和高集成度而广泛应用于集成电路中，它在正常工作和发生失效时均存在微弱的显微红外发光现象。对CMOS结构的显微红外发光现象产生机制进行了研究和实际观察，将对深入了解CMOS器件中各种红外发光效应和分析其可靠性具有实际意义。
CMOS器件及其结构缺陷的显微红外发光现象研究
【摘 要】
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CMOS器件结构依靠其较低的功耗和高集成度而广泛应用于集成电路中，它在正常工作和发生失效时均存在微弱的显微红外发光现象。对CMOS结构的显微红外发光现象产生机制进行了研究
【机 构】
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复旦大学国家微分析中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2006年4期
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