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利用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法在黑硅和抛光单晶硅片衬底上生长非晶碳薄膜，其中变量为CH4流量，分别为10sccm、14sccm、18sccm、22sccm、26sccm。通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射分析（XRD）、原子力显微镜（AFM）、拉曼光谱表征了非晶碳薄膜的结构和形貌特征。结果表明，在650℃时随着CH4流量的逐渐增加，在平整的非晶碳薄膜上C-C的sp2相团簇颗粒的直径逐渐变大。AFM测试结果显示，非晶碳薄膜表面的平均粗糙度（Rn）为0．494nm。