射频磁控溅射室温下制备ITO薄膜的光学性能研究

来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：whitewolfwv7

【摘要】

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靶材为铟锡氧化物(In2O3:SnO2=1:1),用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO薄膜.质量流量计调节Ar气压强为0.2～3.0Pa,氧流量为0～10sccm,并详细探讨了溅射时氩气压强

【作者】

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李世涛乔学亮陈建国

【机构】

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华中科技大学模具技术国家重点实验室

【出处】

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材料导报

【发表日期】

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2005年1期

【关键词】

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射频磁控溅射法 ITO薄膜光学性能薄膜厚度折射率增透膜压强铟锡氧化物方阻光电性能 magnetron sputtering oxygen fl

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靶材为铟锡氧化物(In2O3:SnO2=1:1),用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO薄膜.质量流量计调节Ar气压强为0.2～3.0Pa,氧流量为0～10sccm,并详细探讨了溅射时氩气压强和氧流量变化对ITO薄膜光学性能的影响.结果表明:溅射Ar气压强为0.8Pa,氧流量为2.4sccm时,薄膜的折射率最低n=1.97,较接近增透膜的光学匹配.薄膜厚度为241.5nm时,薄膜的最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9Ω/□,电导率为8.8×10-4Ω·cm

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