TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xueyueer001

【摘要】

：

TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL23L23（379eV）与Ti L3M23M23（387eV）重叠的缘故。本文采用窄能量窗

【作者】

：

陈维德雨·本德

【机构】

：

中科院半导体所,比利时大学际微电子中心

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

1990年1期

【关键词】

：

俄歇跃迁双层结构 TiN_x/TiSi_x 快速热退火深度分布界面反应处理法扩散势垒横向扩散硅化物

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TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL23L23（379eV）与Ti L3M23M23（387eV）重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiNX/TiSiX</su

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