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以热氧化硅片为衬底，以溶液溶解和真空蒸镀两种方法，在不同温度下制备有机半导体材料并五苯（pentacene）薄膜。用原子力显微镜（AFM）分析了薄膜的形貌，讨论了影响薄膜质量的各种因素。
Pentcene／SiO2表面随温度变化的AFM研究
【摘 要】
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以热氧化硅片为衬底，以溶液溶解和真空蒸镀两种方法，在不同温度下制备有机半导体材料并五苯（pentacene）薄膜。用原子力显微镜（AFM）分析了薄膜的形貌，讨论了影响薄膜质量的各种因素。
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2008年6期
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