【摘 要】
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采用磷注入法合成磷化铟(InP)熔体,用液封直拉(LEC)法生长了不同化学配比的掺铁(Fe)InP单晶。用红外吸收光谱研究了化学配比对掺Fe InP单晶中Fe激活效率的影响。结果表明,富磷条件下Fe的激活效率高于配比及富铟条件,分析其影响机理,认为与不同配比条件下铟空位(VIn)的形成能有关。通过第一性原理计算了不同配比条件下VIn和中性态缺陷FeIn0的形成能,发现富铟条件VIn和Fe
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所,中国电子科技南湖研究院
【基金项目】
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国家自然科学基金(61774054,51871202,51401186)。
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采用磷注入法合成磷化铟(InP)熔体,用液封直拉(LEC)法生长了不同化学配比的掺铁(Fe)InP单晶。用红外吸收光谱研究了化学配比对掺Fe InP单晶中Fe激活效率的影响。结果表明,富磷条件下Fe的激活效率高于配比及富铟条件,分析其影响机理,认为与不同配比条件下铟空位(VIn)的形成能有关。通过第一性原理计算了不同配比条件下VIn和中性态缺陷FeIn0的形成能,发现富铟条件VIn和Fe
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