CVD金刚石薄膜探测器对γ射线响应的电荷收集效率测量方法

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理论研究发现,在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片,可以有效过滤探测系统中散射电子,准确测定探测器对7射线诱发电子的电荷收集效率。以电荷收集效率为100%的Si—PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准,建立了化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)金刚石薄膜探测器对γ射线响应时电荷收集效率的测量方法和系统。研究结果表明:所研制的CVD金刚石薄膜探测器,在600V饱和偏压下,电荷收集效率在常态时为55%,在“priming”状态时可达69%。
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