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模拟非硅衬底上转换效率10%的多晶硅薄膜太阳电池
模拟非硅衬底上转换效率10%的多晶硅薄膜太阳电池
来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wsw62084751
【摘 要】
:
在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2,开窗口后作为衬底,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶(ZMR)方法制备多晶硅薄膜太阳电池.由于采用了区熔再结晶(ZMR)的
【作 者】
:
许颖
于元
励旭东
李仲明
【机 构】
:
北京市太阳能研究所
【出 处】
:
太阳能学报
【发表日期】
:
2002年1期
【关键词】
:
薄膜太阳电池
快速热化学气相沉积
区熔再结晶
多晶硅
转换效率
RTCVD
ZMR
非硅衬底
模拟
thin film solar cells rapid th
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在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2,开窗口后作为衬底,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶(ZMR)方法制备多晶硅薄膜太阳电池.由于采用了区熔再结晶(ZMR)的方法,获得了取向一致的多晶硅薄膜,为薄膜电池的制备打下了良好的基础,转换效率达到10.21%.
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