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报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果.采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体.对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出φ50 mm×140 mm的La3 Ga5SiO14晶体,并测试了部分压电性能.
La3Ga5SiO14晶体生长研究
【摘 要】
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报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果.采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体.对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进
【机 构】
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四川压电与声光技术研究所
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2003年2期
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