【摘 要】
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以高纯碳粉作为碳源直接加入原料,采用导模法（EFG）生长了α-Al2O3：C单晶。研究了晶体经过低剂量β射线辐照后的热释光与光释光特性,α-Al2O3：C单晶的热释光发光曲线在350K、540K
【机 构】
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昆明理工大学材料科学与工程学院,中国科学院上海硅酸盐研究所
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以高纯碳粉作为碳源直接加入原料,采用导模法（EFG）生长了α-Al2O3：C单晶。研究了晶体经过低剂量β射线辐照后的热释光与光释光特性,α-Al2O3：C单晶的热释光发光曲线在350K、540K和689K附近有3个热释光峰,540 K附近为主要热释光峰,689 K附近为新的热释光峰,发现晶体的陷阱能级深度发生变化并产生了新深度的陷阱能级;随着β吸收剂量的增加,发光强度也随之增强,但是3个热释光峰温位置大致保持不变。在多次连续同剂量辐照过程中,随着辐照次数的增加,主热释光峰强度增强,峰温向高温方向偏移。α-
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