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在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导，并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较．采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线，并通过关键的混合腐蚀技术制备了50Ω和120Ω两种特性阻抗的传输线．由于腐蚀去除了信号线下方导致损耗的低阻硅衬底，使得传输线插入损耗、散射特性等得以改善．实验中，使用矢量网络分析仪分别在微机械加工前后对传输线进行了1GHz到40GHz频段的参数测试，利用多线分析技术对测试结果进行了分析．结果表明在微结构悬浮后共平面波