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期刊论文
用于HREM分析的位错结构模型
用于HREM分析的位错结构模型
来源 :2006年全国电子显微学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:olivehht
【摘 要】
:
位错是线缺陷。它最基本的特征,除位错线的位置、走向外,就是其柏格斯矢量。本文推荐建立一种用于高分辨电子显微术(HREM)分析的位错结构模型,希望对该问题的解决有所帮助。
【作 者】
:
陈一
胡岗
郑国祥
严学俭
吴晓京
【机 构】
:
复旦大学材料科学系,上海,200033
【出 处】
:
2006年全国电子显微学会议
【发表日期】
:
2006年8期
【关键词】
:
电子显微术
位错结构模型
线缺陷
柏格斯矢量
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位错是线缺陷。它最基本的特征,除位错线的位置、走向外,就是其柏格斯矢量。本文推荐建立一种用于高分辨电子显微术(HREM)分析的位错结构模型,希望对该问题的解决有所帮助。
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