1.5 V 0.35μm CMOS 3.2 Gb/s 1:4分接器设计

来源 :上海交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cjfandhf

【摘要】

：

采用CSM 0.35μm CMOS工艺,设计了低电压高速1∶4分接器.分接器采用半时钟树型结构,由1个高速1∶2分接器和2个低速1∶2分接器级联而成.整个电路实现的基本单元为共栅动态负载

【作者】

：

邱玲冯军

【机构】

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东南大学射频与光电集成电路研究所,东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096,南京210096

【出处】

：

上海交通大学学报

【发表日期】

：

2007年S2期

【关键词】

：

分接器低电压 CMOS 动态负载 demultiplexerlow voltagecomplementary metal-oxide semiconducto

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采用CSM 0.35μm CMOS工艺,设计了低电压高速1∶4分接器.分接器采用半时钟树型结构,由1个高速1∶2分接器和2个低速1∶2分接器级联而成.整个电路实现的基本单元为共栅动态负载锁存器.电路最高可工作在3.2 Gb/s,电源电压为1.5 V,整体电路功耗约为120 mW,芯片面积为0.675 mm×0.675 mm.

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